第105章 组建航天火箭研究所，新一轮归国浪潮

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其解析度大约在5-10微米之间，採用波长436纳米的高压汞灯作为光源，用机械式定位系统实现掩膜版与硅片的粗略对准。

目前能够处理一英寸的晶圆片。

儘管这种接触式的光刻机导致良率不高，掩膜版的寿命也不长，但对於龙国来说这已经是巨大的进步了。

它的出现也直接奠定了龙国的电晶体製造从手工，走向了精密、可重复的工业化生產。

更是为之后的集成电路提供了最为关键的工艺支撑。

至於之后的接近式光刻机、投影式光刻机、duv光刻机、euv光刻机也一定会有的。

秦风看到已经准备就绪的王守武等人后，便向他们点了下头，示意他们可以开始了。

隨即王守武、黄昆他们便开始操控光刻机进行生產。

王守武拿出了一块表面经过高拋光的晶圆片。

这块硅片在高温炉当中通入了水蒸气，在其表面生出了一层厚度均匀的二氧化硅。

然后他们还需要將这块覆盖了二氧化硅层的晶圆片涂上光刻胶，这也是极为关键的一步。

在一台转速达到了3000转每分钟的光刻胶涂布机的平台上，一英寸的晶圆片高速旋转，隨即便开始滴涂液態的光刻胶。

它的原理就是通过高速的旋转，精密的形成一层薄而均匀的胶膜。

在所有人的注视下，很快晶圆片就停止了旋转，这也意味著这一步已经完成了。

在这片晶圆片上已经覆上了一层肉眼几乎不可见的光刻胶。

隨即又送入到了前烘机当中进行软烤，去除光刻胶当中的溶剂，以便於下一步。

从这里就可以看出想要生產pn结型电晶体有多么复杂了。

接下来便是將这片处理好的晶圆片送入接触式光刻机当中进行最关键的製造。

接触式光刻机的原理就是將绘製了电路图案的掩膜版与涂有光刻胶的硅片表面紧密接触。

然后再用高压汞灯进行照射，光线就会透过掩膜版的透明部分，使相对应的区域的光刻胶发生化学反应。

这也是光刻机加工的第一步。

在完成了这一步后还需要进行显影。

就是將曝光过的晶圆片浸入特定的化学显影液当中。

对於正性光刻胶，被光照过的区域会被溶解掉，从而在光刻胶上精確地复製出掩模版的图案，暴露出其下方的二氧化硅层。

到了这一步的时候光刻机的加工就已经完成了。

看到这个已经被刻上了图案的晶圆片，所有人心中都鬆了一口气。

因为最关键的一步已经完成了。

接下来就到了蚀刻机派上用场的时候了。

它的作用就是將没有光刻胶保护的二氧化硅区域腐蚀掉，之后，用强酸的方式將剩余的光刻胶完全去除，最终得到结构清晰的二氧化硅掩蔽层。

然后就是用扩散法进行掺杂，在n型晶圆片衬底上形成p型区，从而构成pn节，这就是pn结型电晶体的由来。

到了这一步还没有结束，接下来还需要进行蒸发和金属化。

用蒸发台通过热蒸发沉积金属电极，形成电晶体的接触点。

然后再用电镀设备形成金属连接。

最后一步就是封装了。

用密封机將电晶体封装到外壳当中，並提供保护和引脚的连接。

这就是整个pn结型电晶体的加工过程。

从沙子到成型，一共需要经歷超过百道工序。

这一幕也让秦风看的紧张不已。

一直到看到成品之后，悬著的心才算落了一半。

之所以是一半，是因为电晶体还未经过示波器进行检测，通过了示波器的检测之后才算完成所有工序。